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    铟镓砷探测器DInGaAs系列

    • 产品型号:DInGaAs系列
    • 产品时间:2024-05-20
    • 简要描述:常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
      ——室温型近红外探测器,使用范围:0.8-1.7μm(2.6μm)
      ● DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs元件;
      ● DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs元件;
    • 产品介绍

    常温型铟镓砷探测器(InGaAs)

    ——室温型近红外探测器,使用范围:0.8-1.7μm(2.6μm)
    ● DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs元件;
    ● DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs元件;
    ● DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件;
    ● DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs元件;
    ● DInGaAs2600型内装进口InGaAs元件
     
    型号列表及主要技术指标:
    型号/参数
    DInGaAs1600
    DInGaAs1650
    DInGaAs1700-R03M
    DInGaAs1700
    DInGaAs2600
    光敏面直径(mm)
    1.5
    5
    3
    5
    3
    波长范围(nm)
    900-1600
    900-1650
    800-1700
    800-1700
    800-2600
    峰值响应度(A/W,  小)
    0.85
    0.85
    0.9
    0.95
    1.1
    暗电流(nA,  大)
    0.1
    200
    100
    10μA
    1mA
    D*(典型值)
    -
    -
    2.3×1012
    9.6×1011
    4.1×1010
    NEP(典型值)
    -
    -
    1.2×10-13
    2.8×10-13
    6.5×10-12
    阻抗(MΩ)
    30
    1
    1.5
    50kΩ
    320Ω
    电容(pF)
    80
    1500
    800
    -
    9000
    响应时间(ns)
    8
    160
    100
    300
    1μs
    信号输出模式
    电流
    电流
    电流
    电流
    电流
    输出信号性
    正(P)
    正(P)
    正(P)
    正(P)
     

    ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs)
    ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm
           TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,看片免费网站响应曲线参考图如下:
    型号列表及主要技术指标:
     
     型号/参数
    DInGaAs1700-TE
    DInGaAs1900-TE
    DInGaAs2200-TE
    DInGaAs2400-TE
    DInGaAs2600-TE
    光敏面直径(mm)
    3
    3
    3
    3
    3
    波长范围(nm)
    800-1700
    800-1900
    800-2200
    800-2400
    800-2600
    峰值响应度(A/W)
    0.9
    1
    1.1
    1.15
    1.2
    D*(典型值)
    8.4×1013
    9.1×1012
    1.9×1012
    9.6×1011
    4.9×1011
    NEP(典型值)
    3.2×10-15
    2.9×10-14
    1.4×10-13
    2.8×10-13
    5.5×10-13
    温控器型号
    ZTC
    ZTC
    ZTC
    ZTC
    ZTC
    探测器温度(℃)
    -40
    -40
    -40
    -40
    -40
    温度稳定度(℃)
    ±0.5
    ±0.5
    ±0.5
    ±0.5
    ±0.5
    环境温度(℃)
    +10~+40
    +10~+40
    +10~+40
    +10~+40
    +10~+40
    信号输出模式
    电流
    电流
    电流
    电流
    电流
    输出信号性
    正(P)
    正(P)
    正(P)
    正(P)
    正(P)
    备注
    制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)
    推荐使用前置放大器型号:ZPA-7
    铟镓砷探测器使用建议:
    ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZPA-7(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;
    ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;
    ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;
    ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;
     

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